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High-Precision Silicon Wafers

고정밀 실리콘 웨이퍼

핵심 기술 경쟁력

고정밀 웨이퍼 품질

실리콘 웨이퍼는 반도체 칩 제조의 기초가 되는 핵심 소재로, 고순도 실리콘 정제와 정밀 연마 공정을 통해 표면 평탄도와 결정 구조의 안정성을 확보합니다.
디엔디티는 고품질 웨이퍼 공급을 위해 정밀 가공 공정과 품질 관리 시스템을 기반으로 안정적인 웨이퍼 품질을 유지하고 있습니다.

웨이퍼 기술 성능

99.9999%

고순도 실리콘
(반도체 공정용 고순도 소재)

200mm - 300mm

웨이퍼 규격 지원
(다양한 반도체 공정 대응)

±0.1μm

표면 평탄도 관리
(고정밀 반도체 공정 가능)

핵심 기술 경쟁력

고정밀 웨이퍼 기술

실리콘 웨이퍼는 반도체 제조 공정의 핵심 기판 소재로, 고순도 실리콘 정제와 정밀 가공 공정을 통해 안정적인 전기적 특성과 표면 품질을 확보합니다.
차세대 반도체 공정에 대응하기 위해 고품질 웨이퍼 생산 기술과 정밀 품질 관리 시스템이 지속적으로 발전하고 있습니다.

고순도 실리콘 정제

반도체 공정에 사용되는 초고순도 실리콘 소재를 기반으로 불순물 함량을 최소화하여 안정적인 웨이퍼 품질을 확보합니다.

결정 성장 공정

단결정 실리콘 성장 기술을 적용하여균일한 결정 구조와 안정적인 전기적 특성을 구현합니다.

정밀 연마 및 평탄화

웨이퍼 표면의 미세한 굴곡을 최소화하는 정밀 연마 공정을 통해 고성능 반도체 공정에 적합한 평탄도를 유지합니다.

초정밀 품질 관리

미세 결함 및 표면 입자를 최소화하기 위한 정밀 검사 공정과 품질 관리 시스템을 적용합니다.

핵심 기술 경쟁력

고정밀 반도체 웨이퍼

차세대 반도체 공정에 사용되는 실리콘 웨이퍼는 고순도 실리콘 정제와 정밀 가공 기술을 통해 안정적인 전기적 특성과 균일한 표면 품질을 확보하고 있습니다.
고집적 반도체 공정에 대응하기 위해 고품질 웨이퍼 생산 기술이 지속적으로 발전하고 있습니다.

고품질 웨이퍼 기술

초고순도 단결정 실리콘 소재 적용

반도체 제조에 사용되는 고순도 실리콘 소재를 기반으로 안정적인 웨이퍼 품질을 확보합니다.

정밀 연마 및 표면 평탄화 기술 적용

웨이퍼 표면의 미세한 굴곡을 최소화하여 고성능 반도체 공정에 적합한 평탄도를 구현합니다.

차세대 반도체 공정 대응 웨이퍼 설계

웨이퍼 표면의 미세한 굴곡을 최소화하는 정밀 연마 공정을 통해 고성능 반도체 공정에 적합한 평탄도를 유지합니다.

핵심 기술 경쟁력

고품질 웨이퍼 수명 안정성

실리콘 웨이퍼는 반도체 제조 공정의 핵심 기판으로, 정밀 가공과 고순도 소재 기술을 통해 장기간 안정적인 공정 성능을 유지합니다.
차세대 반도체 생산 환경에서도 높은 내구성과 균일한 품질을 확보할 수 있도록 설계됩니다.

웨이퍼 소재 정밀 설계

고순도 단결정 실리콘 소재를 기반으로 불순물 함량을 최소화하여안정적인 전기적 특성과 반도체 공정 적합성을 확보합니다.

결정 구조 안정 설계

단결정 성장 공정을 통해 균일한 결정 구조를 형성하고 고집적 반도체 공정에서도 안정적인 성능을 유지합니다.

표면 평탄도 정밀 관리

정밀 연마 및 화학적 기계 연마(CMP) 공정을 적용하여 웨이퍼 표면의 미세 굴곡을 최소화하고 공정 균일성을 확보합니다.

미세 결함 품질 관리

정밀 검사 시스템을 통해 미세 결함과 표면 입자를 최소화하여 고성능 반도체 제조 공정에 적합한 품질을 유지합니다.

핵심 기술 경쟁력

D&DT의 중요한 혁신 기술인 Smart Cut™ 기술에서 탄생했습니다.

이 기술은 세계적인 마이크로전자 연구기관인 CEA-Leti와의 협력을 통해 개발되었습니다. Smart Cut™ 기술은 “원자 단위의 메스(atomic scalpel)”에 비유될 수 있으며, 하나의 기판(substrate)에서 다른 기판으로 매우 얇은 물질층을 전이할 수 있게 합니다.
이 기술 덕분에 기존 마이크로전자 기술로는 얻을 수 없었던 매우 얇고(10~100nm) 완전히 균일한 단결정 반도체 층을 생산할 수 있게 되었습니다.
또한 동일한 기판 위에 이러한 얇은 층을 결합함으로써, Smart Cut™ 기술은 높은 성능과 에너지 효율을 동시에 갖춘 마이크로전자 장비 설계를 가능하게 하며, 이를 통해 환경적 영향을 줄이는 데에도 기여합니다.

2025 주요 지표

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혁신은 D&DT의 DNA입니다

Smart Cut™ 기반의 SOI(Silicon On Insulator) 기술을 중심으로 POI(Piezoelectric On Insulator), SiC(Silicon Carbide), GaN(Gallium Nitride) 등 차세대 반도체 공정에 필요한 특수 기판 기술 분야에서 다양한 특허와 기술 포트폴리오를 구축하고 있습니다.
현재 D&DT는 국내외 특허 등록 및 출원 기술을 기반으로 산업용 박막 전이 기술과 에피택시(Epitaxy) 공정 기술을 확보하고 있으며, 글로벌 반도체 소재 시장에서 기술 경쟁력을 지속적으로 확대하고 있습니다.
또한 연구개발 투자를 통해 차세대 전력 반도체, 고효율 전자소자, 고성능 반도체 공정용 기판 기술 분야까지 기술 영역을 확장하고 있습니다.

D&DT의 특허와 발명가

D&DT는 반도체 소재 기술 경쟁력 강화를 위해 지속적인 연구개발과 지식재산 확보에 집중하고 있습니다.
Smart Cut™ 공정 기술을 기반으로 시작된 연구개발은 SOI(Silicon On Insulator) 기술 산업화를 통해 반도체 기판 기술 발전에 중요한 기반을 마련했습니다.
이후 D&DT는 POI, SiC, GaN 등 다양한 특수 반도체 기판 기술 분야로 연구 영역을 확장하며 고성능 반도체 공정에 필요한 핵심 기술을 지속적으로 개발하고 있습니다.
또한 연구개발 조직뿐만 아니라 생산·기술·마케팅 등 다양한 부서에서 혁신 아이디어가 발굴되는 협업 중심의 기업 문화를 기반으로, 차세대 반도체 소재 기술과 공정 경쟁력을 지속적으로 강화하고 있습니다.

P - Performance (성능)

P - Performance (성능)

  • 속도 (Speed)
  • 선형성 (Linearity)
  • 결함률 감소 (Defectivity)
P - Power (전력)

P - Power (전력)

  • 더 낮은 전력 소비
  • 높은 에너지 효율
AC - Area-Cost (면적 및 비용)

AC - Area-Cost (면적 및 비용)

  • 더 작은 다이 크기
  • 칩 및 기능 통합
  • 수율 (Yield)
  • 다이 비용
T - Time-To-Market (시장 출시 속도)

T - Time-To-Market (시장 출시 속도)

  • 시장 채택 시기 (Adoption window)
  • 경쟁사보다 빠른 출시
지속가능성 (Sustainability)

지속가능성 (Sustainability)

  • 에너지 효율적인 제품
  • 환경 영향 감소

Greenovation

Greenovation이라고도 불리는 친환경 설계 접근 방식은 D&DT의 모든 제품 개발 과정에서 지속가능한 발전 기준을 의사결정의 핵심 요소로 통합하는 것을 의미합니다.
그 목표는 설계의 모든 단계에서 환경적 요소를 중요한 선택 기준으로 체계적으로 반영하는 것입니다.

Semiconductor Fabs

Semiconductor Fabs

우리의 반도체 공장을 살펴보고 각 공장에서 어떤 제품이 생산되는지 확인해 보세요.

Commitments

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더 지속가능한 미래에 기여하기 위해 우리는 환경, 사회, 지배구조(ESG) 이슈를 기업 전략의 핵심에 두고 있습니다.

People

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D&DT와 함께하세요

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